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外媒:三星电子8层HBM3E芯片通过英伟达测试

2024-08-07 16:24:20 来源:

  中新经纬8月7日电 据路透社7日报道,消息人士称,三星电子8层HBM3E芯片已通过英伟达测试。三位了解结果的消息人士称,该公司正在对其人工智能(AI)处理器进行测试。I1M流量资讯——探索最新科技、每天知道多一点LLSUM.COM

  该报道指出,三星电子一直在努力追赶本土竞争对手SK海力士,这项资格为这家全球最大内存芯片制造商扫清了一个重大障碍。I1M流量资讯——探索最新科技、每天知道多一点LLSUM.COM

  该报道提到,消息人士称,三星电子和英伟达尚未签署已获批准的8层HBM3E芯片的供应协议,但将很快签署,并预计供应将于2024年第四季度开始。I1M流量资讯——探索最新科技、每天知道多一点LLSUM.COM

  不过,消息人士称,这家韩国科技巨头的12层HBM3E芯片尚未通过英伟达的测试,由于此事仍属机密,消息人士拒绝透露姓名。三星电子和英伟达均拒绝置评。I1M流量资讯——探索最新科技、每天知道多一点LLSUM.COM

  该报道补充之处,HBM是一种动态随机存取存储器或DRAM标准,于2013年首次推出,其中的芯片采用垂直堆叠方式,以节省空间并降低功耗。HBM是AI图形处理单元(GPU)的关键组件,可帮助处理复杂应用程序产生的大量数据。I1M流量资讯——探索最新科技、每天知道多一点LLSUM.COM

  路透社5月份援引消息人士称,三星电子自去年以来一直在寻求通过英伟达对HBM3E以及之前第四代HBM3型号的测试,但由于发热和功耗问题而举步维艰。知情人士还透露,该公司已重新修改了HBM3E设计以解决这些问题。I1M流量资讯——探索最新科技、每天知道多一点LLSUM.COM

  此外,在路透社5月份发表文章称其芯片因发热和功耗问题未能通过英伟达测试后,三星电子表示该说法不实。I1M流量资讯——探索最新科技、每天知道多一点LLSUM.COM

  该报道指出,在英伟达批准三星电子最新HBM芯片之际,随着生成式AI热潮的兴起,对复杂GPU的需求不断飙升,而英伟达和其他AI芯片组制造商正在努力满足这一需求。I1M流量资讯——探索最新科技、每天知道多一点LLSUM.COM

  该报道援引研究公司TrendForce观点,HBM3E芯片很可能成为今年市场上的主流HBM产品,出货量将集中在下半年。制造商SK Hynix则估计,到2027年,HBM内存芯片的总体需求可能以每年82%的速度增长。I1M流量资讯——探索最新科技、每天知道多一点LLSUM.COM

  该报道提到,三星电子7月份预测,到第四季度,HBM3E芯片将占其HBM芯片销量的60%,许多分析师表示,如果其最新的HBM芯片能在第三季度前通过英伟达的最终批准,这一目标就可以实现。I1M流量资讯——探索最新科技、每天知道多一点LLSUM.COM

  不过,三星电子并未公布具体芯片产品的收入明细。路透社对15位分析师的调查显示,今年上半年三星DRAM芯片总收入预计为22.5万亿韩元(约合164亿美元),部分分析师表示其中约10%可能来自HBM销售。I1M流量资讯——探索最新科技、每天知道多一点LLSUM.COM

  该报道指出,HBM主要制造商只有三家,分别为SK Hynix、Micron和三星电子。其中,SK Hynix一直是英伟达的主要HBM芯片供应商,并于3月底向一位不愿透露姓名的客户供应了HBM3E芯片。消息人士此前曾表示,这些芯片已运往英伟达。(中新经纬APP)I1M流量资讯——探索最新科技、每天知道多一点LLSUM.COM

本文链接:外媒:三星电子8层HBM3E芯片通过英伟达测试http://www.llsum.com/show-3-31535-0.html

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